Teknologi CKD tidak hanya memiliki stok mesin baru, tetapi juga segera tersedia.
Kami juga memiliki bisnis persewaan terperinci, siap melayani kebutuhan produksi spesifik Anda sekaligus menurunkan investasi awal Anda secara signifikan. Hubungi kami untuk lebih jelasnya.
CKD memiliki tim insinyur profesional, siap memberikan layanan turn key.
Untuk jual beli mesin bekas, silahkan menghubungi kami melalui Whatspp atau email.
------------------------------------------------------------------------
Seri MYS10iL adalah sistem pemrosesan plasma in-line yang sepenuhnya otomatis dan dikembangkan untuk aplikasi di berbagai sektor, termasuk semikonduktor, elektronik, SMT, optoelektronik, dan teknologi medis.
• Sistem plasma argon bertekanan atmosfer
• Pemrosesan plasma batch inline dengan lebar 100mm; menawarkan efisiensi 2–5 kali lebih tinggi dan biaya pengoperasian 30% lebih rendah dibandingkan metode tradisional
• 100% plasma netral; aman dan lembut pada komponen elektronik sensitif—tidak ada bombardir plasma, listrik statis, percikan api, busur api, debu, suhu tinggi, riak permukaan, atau radiasi UV
• Proses kimia serbaguna: proses O2 untuk menghilangkan kontaminan organik; Proses H2 untuk menghilangkan oksida logam dan mengaktifkan permukaan produk
• Tidak menimbulkan kontaminasi partikulat atau cairan pada produk
| Parameter Dasar | MYS10iL |
| Persyaratan Daya | AC 200~240V, 4,5kW, 20A, 50/60Hz |
| Persyaratan Tekanan Udara | 90psi (6bar) |
| Ukuran | 1000x1500x1550mm |
| Berat | 1050kg |
| Sertifikasi | CE |
| Akurasi Posisi | XY: ±50µm @ 3σ; Z: ±10µm @ 3σ |
| Pengulangan Sumbu XYZ | XY: ±25µm @ 3σ; Z: ±5µm @ 3σ |
| Kecepatan Maksimum | 1000mm/s (XY) |
| Percepatan | 1.0g |
| Sistem Penggerak | servo AC |
| Parameter Platform Kerja | |
| Tipe Konveyor | Sabuk |
| Kapasitas Beban Konveyor | 3kg |
| Kisaran Ketebalan PCB (tanpa pembawa) | 0,5–6mm |
| Perjalanan Sumbu Z | 60mm |
| Maks. Tinggi Komponen (Sisi Atas) | 45mm |
| Maks. Tinggi Komponen (Sisi Bawah) | 23mm |
| Protokol Komunikasi | SMEMA |
| Jangkauan Kerja | |
| Area Perawatan Plasma (L×D) | 550–760mm |
| Sudut Kontak Air (WCA) setelah perawatan plasma | WCA < 10° (Wafer silikon) WCA < 20° (Bahan non-logam) |
| Metode pengobatan plasma | Proses O2 untuk menghilangkan kontaminan organik Proses H2 untuk menghilangkan oksida logam |
| Persyaratan peralatan sistem plasma | |
| kekuatan RF | 600W pada 27,12MHz |
| Gas plasma utama | Argon |
| Proses gas | O2, N2, atau H2 |
| Kisaran tekanan pasokan gas | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Alamat
Lantai 5, Gedung 2, No. 182, Jalan Chang'an Xi'an, Kota Chang'an, Dongguan, Provinsi Guangdong, Cina.
Telp
Surel
